ZXM41N10FTC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZXM41N10FTC
Маркировка: 410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.17 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ZXM41N10FTC
ZXM41N10FTC Datasheet (PDF)
..1. Size:96K diodes
zxm41n10fta zxm41n10ftc.pdf
zxm41n10fta zxm41n10ftc.pdf
ZXM41N10FSOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D MOSFETFEATURES BVDSS = 100V Low ThresholdDEVICE MARKING 410ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSPINOUT TOP VIEW SOT23PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-source voltage VDS 100 VDrain-gate voltage VDGR 100 VContinuous drain current at Tamb=25C ID 170 mAPulsed drain current IDM 680 mAGate-source voltage VGS 20 VPower
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
