IRFR320A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFR320A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO252

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IRFR320A datasheet

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IRFR320A

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IRFR320A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V (Typ.) Lower RDS(ON) 1.408 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

 7.1. Size:177K  international rectifier
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IRFR320A

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IRFR320A

PD-95013A IRFR320PbF IRFU320PbF Lead-Free 12/13/04 Document Number 91273 www.vishay.com 1 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 2 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 3 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 4 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 5 IRFR/U320PbF Document Number 91273 www.vishay.com 6 IRFR/U320

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