IRFR320A Todos los transistores

 

IRFR320A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR320A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFR320A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  1
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IRFR320A

 ..2. Size:503K  samsung
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IRFR320A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V (Typ.) Lower RDS(ON) : 1.408 2112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 7.1. Size:177K  international rectifier
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IRFR320A

 7.2. Size:1849K  international rectifier
 irfr320pbf irfu320pbf.pdf pdf_icon

IRFR320A

PD-95013AIRFR320PbFIRFU320PbF Lead-Free12/13/04Document Number: 91273 www.vishay.com1IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com2IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com3IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com4IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com5IRFR/U320PbFDocument Number: 91273 www.vishay.com6IRFR/U320

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History: PE506BA | KF5N53D | STD5N52K3 | IRFN440

 

 
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