ZXMN10A25GTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMN10A25GTA
   Código: ZXMN10A25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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ZXMN10A25GTA Datasheet (PDF)

..1. Size:623K zetex
zxmn10a25gta.pdf

ZXMN10A25G100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A)0.125 @ VGS= 10V 41000.150 @ VGS= 6V 3.7DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure which combininthe benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resist

4.1. Size:625K diodes
zxmn10a25g.pdf

5.1. Size:608K diodes
zxmn10a25k.pdf

ZXMN10A25K100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) (V) ID (A)0.125 @ VGS= 10V 6.41000.150 @ VGS= 6V 5.8DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure combining the benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resistanc

5.2. Size:187K diodes
zxmn10a25ktc.pdf

A Product Line ofDiodes IncorporatedGreenZXMN10A25K100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance Max ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 125m @ VGS= 10V 6.4A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) TO252 100V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

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