Справочник MOSFET. ZXMN10A25GTA

 

ZXMN10A25GTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMN10A25GTA
   Маркировка: ZXMN10A25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для ZXMN10A25GTA

 

 

ZXMN10A25GTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  zetex
 zxmn10a25gta.pdf

ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25G100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A)0.125 @ VGS= 10V 41000.150 @ VGS= 6V 3.7DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure which combininthe benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resist

 4.1. Size:625K  diodes
 zxmn10a25g.pdf

ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25G100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( )ID (A)0.125 @ VGS= 10V 41000.150 @ VGS= 6V 3.7DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure which combininthe benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resist

 5.1. Size:608K  diodes
 zxmn10a25k.pdf

ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25K100V DPAK N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) (V) ID (A)0.125 @ VGS= 10V 6.41000.150 @ VGS= 6V 5.8DescriptionThis new generation trench MOSFET from Zetex features a uniquestructure combining the benefits of low on-resistance and fastswitching, making it ideal for high efficiency power managementapplications.FeaturesD Low on-resistanc

 5.2. Size:187K  diodes
 zxmn10a25ktc.pdf

ZXMN10A25GTA ZXMN10A25GTA

A Product Line ofDiodes IncorporatedGreenZXMN10A25K100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance Max ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Fast Switching Speed TA = +25C Low Gate Drive 125m @ VGS= 10V 6.4A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) TO252 100V Halogen and Antimony Free. Green Device (Note

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top