ZXMN3F30FHTA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMN3F30FHTA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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ZXMN3F30FHTA datasheet

 ..1. Size:408K  zetex
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ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FH 30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 30 0.047 @ VGS= 10V 4.6 0.065 @ VGS= 4.5V 4.0 Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with 4.5V gate drive. Features D Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23 G Applications S DC-DC Converters Power m

 4.1. Size:411K  diodes
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ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FH 30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 30 0.047 @ VGS= 10V 4.6 0.065 @ VGS= 4.5V 4.0 Description This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on- resistance achievable with 4.5V gate drive. Features D Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23 G Applications S DC-DC Converters Power m

 4.2. Size:106K  tysemi
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ZXMN3F30FHTA

Product specification ZXMN3F30FH 30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A) 30 0.047 @ VGS= 10V 4.6 0.065 @ VGS= 4.5V 4.0 Description This new generation Trench MOSFET from TY features low on- resistance achievable with 4.5V gate drive. Features D Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23 G Applications S DC-DC Con

 4.3. Size:1447K  cn vbsemi
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ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FH www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)

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