ZXMN3F30FHTA Todos los transistores

 

ZXMN3F30FHTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZXMN3F30FHTA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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ZXMN3F30FHTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  zetex
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ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m

 4.1. Size:411K  diodes
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ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m

 4.2. Size:106K  tysemi
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ZXMN3F30FHTA

Product specificationZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Con

 4.3. Size:1447K  cn vbsemi
 zxmn3f30fh.pdf pdf_icon

ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

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History: ZXMN3B14FTA | SVF4N65RM | HUFA75645P3

 

 
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