ZXMN3F30FHTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZXMN3F30FHTA
Código: KNA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30FHTA Datasheet (PDF)
zxmn3f30fhta.pdf
ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m
zxmn3f30fh.pdf
ZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Converters Power m
zxmn3f30fh.pdf
Product specificationZXMN3F30FH30V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFETSummaryV(BR)DSS RDS(on) () ID (A)30 0.047 @ VGS= 10V 4.60.065 @ VGS= 4.5V 4.0DescriptionThis new generation Trench MOSFET from TY features low on-resistance achievable with 4.5V gate drive.FeaturesD Low on-resistance 4.5V gate drive capability SOT23GApplicationsS DC-DC Con
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ZXMN3F30FHwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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