ZXMN7A11GTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMN7A11GTA
   Código: ZXMN7A11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA Datasheet (PDF)

..1. Size:415K zetex
zxmn7a11gta.pdf

ZXMN7A11G70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary VDSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=3.8A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fast

5.1. Size:417K diodes
zxmn7a11g.pdf

6.1. Size:524K diodes
zxmn7a11k.pdf

ZXMN7A11K70V N-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS=70V : RDS(on)=0.13 ID=6.1A DescriptionThis new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltagepower management applications.FeaturesD Low on-resistance Fa

6.2. Size:520K zetex
zxmn7a11ktc.pdf