SI1013X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1013X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: SC-89
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SI1013X datasheet
si1013cx.pdf
Si1013CX Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.760 at VGS = - 4.5 V - 0.45 100 % Rg Tested 1.040 at VGS = - 2.5 V - 0.40 1 nC - 20 Typical ESD protection 1000 V (HBM) 1.5 at VGS = - 1.8 V - 1.5 Fast Switchin
si1013r.pdf
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