SI1013X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1013X
   Código: B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.45 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1013X

SI1013X Datasheet (PDF)

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si1013r si1013x.pdf

Si1013R/XVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition1.2 at VGS = - 4.5 V - 350 High-Side Switching1.6 at VGS = - 2.5 V Low On-Resistance: 1.2 - 20 - 300 Low Threshold: 0.8 V (Typ.)2.7 at VGS = - 1.8 V - 150 Fast Switching Speed: 14 ns

8.1. Size:192K vishay
si1013r-x.pdf

8.2. Size:171K vishay
si1013cx.pdf

Si1013CXVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.760 at VGS = - 4.5 V - 0.45 100 % Rg Tested1.040 at VGS = - 2.5 V - 0.40 1 nC- 20 Typical ESD protection: 1000 V (HBM)1.5 at VGS = - 1.8 V - 1.5 Fast Switchin

8.3. Size:350K cn tech public
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History: IXFE80N50 | IXFH60N20

Liste

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