SI1058X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1058X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.236 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.091 Ohm
Encapsulados: SC-89
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SI1058X datasheet
si1058x.pdf
Si1058X Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.091 at VGS = 4.5 V Material categorization 1.3a 20 3.5 For definitions of compliance please see 0.124 at VGS = 2.5 V 1.1 www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices
si1051x.pdf
Si1051X Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.122 at VGS = - 4.5 V 1.2 TrenchFET Power MOSFET 0.141 at VGS = - 2.5 V 1.1 100 % Rg Tested - 8 5.91 0.168 at VGS = - 1.8 V 0.60 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.198 at VGS = - 1.5
si1054x.pdf
Si1054X Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.095 at VGS = 4.5 V 1.32 TrenchFET Power MOSFET 12 0.104 at VGS = 2.5 V 1.26 5.25 100 % Rg Tested 0.114 at VGS = 1.8 V 0.88 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Swi
si1050x.pdf
Si1050X Vishay Siliconix N-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.086 at VGS = 4.5 V 1.34a TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.093 at VGS = 2.5 V 1.29 8 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.102 at VGS = 1.8 V 1.23 0.120 at VGS = 1.5 V
Otros transistores... SI1039X , SI1040X , SI1046R , SI1046X , SI1050X , SI1051X , SI1054X , SI1056X , 8N60 , SI1062X , SI1065X , SI1067X , SI1069X , SI1070X , SI1071X , SI1072X , SI1073X .
History: QM3098M6 | RCJ050N25 | H04N65E | FCP190N65F | SVT085R5NL5TR | AOD4124
History: QM3098M6 | RCJ050N25 | H04N65E | FCP190N65F | SVT085R5NL5TR | AOD4124
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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