SI1070X Todos los transistores

 

SI1070X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1070X
   Código: U*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.236 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.55 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI1070X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  vishay
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SI1070X

Si1070XVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.099 at VGS = 4.5 V 1.2a TrenchFET Power MOSFET30 3.50.140 at VGS = 2.5 V 1.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable De

 9.1. Size:163K  vishay
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SI1070X

Si1077XVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Typical ESD Performance 2500 V0.078 at VGS = - 4.5 V - 1.4 100 % Rg Tested Material categorization:0.098 at VGS = - 2.5 V - 1- 20 12.1 nCFor definitions of compliance please see 0.130 at VGS = - 1.8 V - 1www.vi

 9.2. Size:122K  vishay
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SI1070X

Si1072XVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.093 at VGS = 10 V 1.3a TrenchFET Power MOSFET30 5.410.129 at VGS = 4.5 V 1.2 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable De

 9.3. Size:203K  vishay
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SI1070X

Si1079Xwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Typical ESD performance 2500 V0.100 at VGS = -4.5 V -1.44 100 % Rg tested-30 0.112 at VGS = -3.7 V -1.36 8.1 nC Material categorization: 0.140 at VGS = -2.5 V -1.22For definitions of compliance please s

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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