SI1315DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1315DL
   Código: LJ*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.336 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1315DL

SI1315DL Datasheet (PDF)

..1. Size:242K vishay
si1315dl.pdf

New ProductSi1315DLVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.336 at VGS = - 4.5 V - 0.9 100 % Rg Tested- 8 0.450 at VGS = - 2.5 V - 0.7 1 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.650 at VGS = - 1.8 V - 0.5APP

9.1. Size:242K vishay
si1317dl.pdf

New ProductSi1317DLVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.192 at VGS = - 2.5 V - 1.3 4.3 nC 100 % Rg Tested0.270 at VGS = - 1.8 V - 1.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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History: VBL2610N | AFN4210W

Liste

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