SI1315DL Todos los transistores

 

SI1315DL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1315DL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.336 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1315DL

 

Principales características: SI1315DL

 ..1. Size:242K  vishay
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SI1315DL

New Product Si1315DL Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.336 at VGS = - 4.5 V - 0.9 100 % Rg Tested - 8 0.450 at VGS = - 2.5 V - 0.7 1 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.650 at VGS = - 1.8 V - 0.5 APP

 9.1. Size:242K  vishay
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SI1315DL

New Product Si1317DL Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.192 at VGS = - 2.5 V - 1.3 4.3 nC 100 % Rg Tested 0.270 at VGS = - 1.8 V - 1.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Otros transistores... SI1302DL , SI1303DL , SI1304BDL , SI1305DL , SI1305EDL , SI1307DL , SI1307EDL , SI1308EDL , AO4407A , SI1317DL , SI1330EDL , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH .

History: H15N10D | EN6005 | ATM8205DNSG

 

 
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