SI1315DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1315DL
Código: LJ*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 8 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 0.8 V
Tiempo de elevación (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 54 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.336 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1315DL
SI1315DL Datasheet (PDF)
1.1. si1315dl.pdf 
Size:242K _vishay
New Product Si1315DL Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) • TrenchFET® Power MOSFET 0.336 at VGS = - 4.5 V - 0.9 • 100 % Rg Tested - 8 0.450 at VGS = - 2.5 V - 0.7 1 nC • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.650 at VGS = - 1.8 V - 0.5 APP
5.1. si1317dl.pdf Size:242K _vishay
New Product Si1317DL Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.4 • TrenchFET® Power MOSFET - 20 0.192 at VGS = - 2.5 V - 1.3 4.3 nC • 100 % Rg Tested 0.270 at VGS = - 1.8 V - 1.1 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .
