SI1315DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1315DL

Código: LJ*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 8 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 0.8 V

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 54 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.336 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-323

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SI1315DL Datasheet (PDF)

1.1. si1315dl.pdf Size:242K _vishay

New Product Si1315DL Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) • TrenchFET® Power MOSFET 0.336 at VGS = - 4.5 V - 0.9 • 100 % Rg Tested - 8 0.450 at VGS = - 2.5 V - 0.7 1 nC • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.650 at VGS = - 1.8 V - 0.5 APP

5.1. si1317dl.pdf Size:242K _vishay

New Product Si1317DL Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.4 • TrenchFET® Power MOSFET - 20 0.192 at VGS = - 2.5 V - 1.3 4.3 nC • 100 % Rg Tested 0.270 at VGS = - 1.8 V - 1.1 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: