2N7275H Todos los transistores

 

2N7275H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7275H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N7275H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  1
2n7275d 2n7275r 2n7275h.pdf pdf_icon

2N7275H

 8.1. Size:45K  intersil
jansr2n7275.pdf pdf_icon

2N7275H

JANSR2N7275Formerly FRL230R4 5A, 200V, 0.500 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 5A, 200V, rDS(ON) = 0.500 The Intersil Corporation has designed a series of SECONDGENERATION hardened power MOSFETs of both N-Chan- Total Dosenel and P-Channel enhancement types with ratings from100V to 500V, 1A to 60A, and on resistance as low as- Meets Pre

 8.2. Size:177K  no
2n7272 2n7275 2n7278 2n7281.pdf pdf_icon

2N7275H

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision shall MIL-PRF-19500/604Bbe completed by 30 November 2004. 30 July 2004 SUPERSEDINGMIL-PRF-19500/604A21 June 1999PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE CHARACTERIZATION ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES

 9.1. Size:99K  1
2n7271h 2n7271d 2n7271r.pdf pdf_icon

2N7275H

Otros transistores... 2N7272H3 , 2N7272H4 , 2N7272R , 2N7272R1 , 2N7272R2 , 2N7272R3 , 2N7272R4 , 2N7275D , IRF540 , 2N7275R , 2SJ128 , 2SJ132 , 2SJ133 , 2SJ134 , 2SJ135 , 2SJ136 , 2SJ137 .

History: WSP4409A | GSM2341 | RRL025P03 | IXFN110N20 | GSM3310W | BSS123A | SMF7N60

 

 
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