SI1442DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1442DH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1442DH
SI1442DH Datasheet (PDF)
si1442dh.pdf
New ProductSi1442DHVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.020 at VGS = 4.5 V 4 Material categorization:For definitions of compliance please see12 0.024 at VGS = 2.5 V 4 13.1 nCwww.vishay.com/doc?999120.030 at VGS = 1.8 V 4APPLICATIONS L
si1443edh.pdf
New Product Si1443EDHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Typical ESD Performance 1500 V HBM 100 % Rg Tested0.054 at VGS = - 10 V - 4a Material categorization:- 30 0.062 at VGS = - 4.5 V - 4a 8.6 nCFor definitions of compliance please see0.085 at VGS = - 2.5 V -
si1441edh.pdf
New ProductSi1441EDHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.054 at VGS = - 2.5 V - 4 12.5 nC Typical ESD Performance 1500 V 100 % Rg Tested0.100 at VGS = - 1.8 V - 4 Compli
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918