SI1467DH Todos los transistores

 

SI1467DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1467DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

 Búsqueda de reemplazo de SI1467DH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI1467DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  vishay
 si1467dh.pdf pdf_icon

SI1467DH

Si1467DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.7 9.0 nC 100 % Rg Tested0.150 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.1. Size:244K  vishay
 si1469dh.pdf pdf_icon

SI1467DH

Si1469DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.100 at VGS = - 4.5 V - 2.7 5.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw

Otros transistores... SI1427EDH , SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH , SI1441EDH , SI1442DH , SI1443EDH , SI1450DH , AON7408 , SI1469DH , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , SI1499DH .

History: AM1440N | MTP2311N3 | QM3001D | HM8N20I

 

 
Back to Top

 


 
.