Справочник MOSFET. SI1467DH

 

SI1467DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1467DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1467DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1467DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  vishay
 si1467dh.pdf pdf_icon

SI1467DH

Si1467DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.7 9.0 nC 100 % Rg Tested0.150 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.1. Size:244K  vishay
 si1469dh.pdf pdf_icon

SI1467DH

Si1469DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.100 at VGS = - 4.5 V - 2.7 5.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw

Другие MOSFET... SI1427EDH , SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH , SI1441EDH , SI1442DH , SI1443EDH , SI1450DH , AON7408 , SI1469DH , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , SI1499DH .

History: TPCC8A01-H | AM4953

 

 
Back to Top

 


 
.