SI1469DH Todos los transistores

 

SI1469DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1469DH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SI1469DH datasheet

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SI1469DH

Si1469DH Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.100 at VGS = - 4.5 V - 2.7 5.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.7 APPLICATIONS SOT-363 Load Sw

 9.1. Size:247K  vishay
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SI1469DH

Si1467DH Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.7 9.0 nC 100 % Rg Tested 0.150 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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History: SI1489EDH | SI1553CDL | SI1480DH

 

 

 

 

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