SI1469DH Todos los transistores

 

SI1469DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1469DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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SI1469DH Datasheet (PDF)

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SI1469DH

Si1469DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.100 at VGS = - 4.5 V - 2.7 5.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw

 9.1. Size:247K  vishay
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SI1469DH

Si1467DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.7 9.0 nC 100 % Rg Tested0.150 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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History: LNTR4003NLT1G | SJMN070R60SW | ES4953 | FS20KM-5 | NCEAP60T12AK | SWP058R72E7T | GWM13S65YRE

 

 
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