Справочник MOSFET. SI1469DH

 

SI1469DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1469DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1469DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  vishay
 si1469dh.pdf pdf_icon

SI1469DH

Si1469DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.100 at VGS = - 4.5 V - 2.7 5.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw

 9.1. Size:247K  vishay
 si1467dh.pdf pdf_icon

SI1469DH

Si1467DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.7 9.0 nC 100 % Rg Tested0.150 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTH67N08MB | AF10N65S | UPA1830GR | PMN30XP | HM7002DW | DMN66D0LT | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.