Справочник MOSFET. SI1469DH

 

SI1469DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1469DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1469DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1469DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  vishay
 si1469dh.pdf pdf_icon

SI1469DH

Si1469DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.100 at VGS = - 4.5 V - 2.7 5.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw

 9.1. Size:247K  vishay
 si1467dh.pdf pdf_icon

SI1469DH

Si1467DHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.7 9.0 nC 100 % Rg Tested0.150 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH , SI1441EDH , SI1442DH , SI1443EDH , SI1450DH , SI1467DH , 7N65 , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , SI1499DH , SI1539CDL .

History: DAMI660N60 | AP03N70H-H | 8N65KG-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.