SI1469DH - описание и поиск аналогов

 

SI1469DH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1469DH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1469DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1469DH даташит

 ..1. Size:244K  vishay
 si1469dh.pdf pdf_icon

SI1469DH

Si1469DH Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.100 at VGS = - 4.5 V - 2.7 5.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.7 APPLICATIONS SOT-363 Load Sw

 9.1. Size:247K  vishay
 si1467dh.pdf pdf_icon

SI1469DH

Si1467DH Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.090 at VGS = - 4.5 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.115 at VGS = - 2.5 V - 2.7 9.0 nC 100 % Rg Tested 0.150 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Другие MOSFET... SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH , SI1441EDH , SI1442DH , SI1443EDH , SI1450DH , SI1467DH , IRF630 , SI1470DH , SI1471DH , SI1473DH , SI1480DH , SI1488DH , SI1489EDH , SI1499DH , SI1539CDL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.