SI1470DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1470DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1470DH

SI1470DH Datasheet (PDF)

..1. Size:112K vishay
si1470dh.pdf

Si1470DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.066 at VGS = 4.5 V 4.0a TrenchFET Power MOSFET30 4.850.095 at VGS = 2.5 V 4.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSOT-363APPLICATIONSSC-70 (6-LEADS) Lo

9.1. Size:245K vishay
si1473dh.pdf

Si1473DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 4.1 nC0.145 at VGS = - 4.5 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363 Load Switch for Portable DevicesSC

9.2. Size:111K vishay
si1472dh.pdf

Si1472DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.057 at VGS = 10 V 5.6a TrenchFET Power MOSFET30 5.50.082 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSOT-363 SC-70 (6-LEADS) APPLICATIONS Load

9.3. Size:245K vishay
si1471dh.pdf

Si1471DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.120 at VGS = - 4.5 V - 2.7 6.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.175 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw

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Liste

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