SI1470DH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI1470DH
Маркировка: AK*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 51 ns
Выходная емкость (Cd): 66 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.066 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
SI1470DH Datasheet (PDF)
si1470dh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si1470DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.066 at VGS = 4.5 V 4.0a TrenchFET Power MOSFET30 4.850.095 at VGS = 2.5 V 4.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSOT-363APPLICATIONSSC-70 (6-LEADS) Lo
si1473dh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si1473DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 4.1 nC0.145 at VGS = - 4.5 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363 Load Switch for Portable DevicesSC
si1472dh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si1472DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.057 at VGS = 10 V 5.6a TrenchFET Power MOSFET30 5.50.082 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSOT-363 SC-70 (6-LEADS) APPLICATIONS Load
si1471dh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si1471DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.120 at VGS = - 4.5 V - 2.7 6.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.175 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
![SI1470DH](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SI1470DH](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SI1470DH](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C