SI1473DH Todos los transistores

 

SI1473DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1473DH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SI1473DH datasheet

 ..1. Size:245K  vishay
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SI1473DH

Si1473DH Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 30 4.1 nC 0.145 at VGS = - 4.5 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS SOT-363 Load Switch for Portable Devices SC

 9.1. Size:112K  vishay
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SI1473DH

Si1470DH Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.066 at VGS = 4.5 V 4.0a TrenchFET Power MOSFET 30 4.85 0.095 at VGS = 2.5 V 4.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SOT-363 APPLICATIONS SC-70 (6-LEADS) Lo

 9.2. Size:111K  vishay
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SI1473DH

Si1472DH Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.057 at VGS = 10 V 5.6a TrenchFET Power MOSFET 30 5.5 0.082 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SOT-363 SC-70 (6-LEADS) APPLICATIONS Load

 9.3. Size:245K  vishay
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SI1473DH

Si1471DH Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 30 0.120 at VGS = - 4.5 V - 2.7 6.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.175 at VGS = - 2.5 V - 2.7 APPLICATIONS SOT-363 Load Sw

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History: FDP20N40

 

 

 


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