Справочник MOSFET. SI1473DH

 

SI1473DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1473DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1473DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  vishay
si1473dh.pdfpdf_icon

SI1473DH

Si1473DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 4.1 nC0.145 at VGS = - 4.5 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363 Load Switch for Portable DevicesSC

 9.1. Size:112K  vishay
si1470dh.pdfpdf_icon

SI1473DH

Si1470DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.066 at VGS = 4.5 V 4.0a TrenchFET Power MOSFET30 4.850.095 at VGS = 2.5 V 4.0 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSOT-363APPLICATIONSSC-70 (6-LEADS) Lo

 9.2. Size:111K  vishay
si1472dh.pdfpdf_icon

SI1473DH

Si1472DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.057 at VGS = 10 V 5.6a TrenchFET Power MOSFET30 5.50.082 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSOT-363 SC-70 (6-LEADS) APPLICATIONS Load

 9.3. Size:245K  vishay
si1471dh.pdfpdf_icon

SI1473DH

Si1471DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)c Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.120 at VGS = - 4.5 V - 2.7 6.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.175 at VGS = - 2.5 V - 2.7APPLICATIONSSOT-363 Load Sw

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FP10W90 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | TMD8N50Z | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.