SI1539CDL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1539CDL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.388 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1539CDL

SI1539CDL Datasheet (PDF)

..1. Size:238K vishay
si1539cdl.pdf

Si1539CDLVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.388 at VGS = 10 V 0.7 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 0.550.525 at VGS = 4.5 V 0.6 100 % Rg Tested0.890 at VGS = - 10 V - 0.5P-Channel - 30 0.8 APPLICATIONS1.7 at VGS = - 4.5

0.1. Size:889K cn vbsemi
si1539cdl-t1.pdf

SI1539CDL-T1www.VBsemi.twN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: