SI1563DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1563DH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.57 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1563DH
SI1563DH Datasheet (PDF)
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Si1563DHVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.450 at VGS = 1.8 V 1.00 Fast Switching0.490 at
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Si1563EDHVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V RatedVDS (V) RDS(on) ()ID (A) ESD Protected: 2000 V0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 Thermally Enhanced SC-70 Package Material categorization:N-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13For definitions of compliance please see0.450 at VGS =
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SI1563EDHwww.VBsemi.twN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5 V -
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
