SI1563EDH Todos los transistores

 

SI1563EDH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1563EDH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI1563EDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  vishay
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SI1563EDH

Si1563EDHVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V RatedVDS (V) RDS(on) ()ID (A) ESD Protected: 2000 V0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 Thermally Enhanced SC-70 Package Material categorization:N-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13For definitions of compliance please see0.450 at VGS =

 ..2. Size:889K  cn vbsemi
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SI1563EDH

SI1563EDHwww.VBsemi.twN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5 V -

 8.1. Size:278K  vishay
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SI1563EDH

Si1563DHVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.450 at VGS = 1.8 V 1.00 Fast Switching0.490 at

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History: 2N6800SM | BLM05N03-D

 

 
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