SI1563EDH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1563EDH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.57 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Encapsulados: SOT-363
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SI1563EDH datasheet
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Si1563EDH Vishay Siliconix Complementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS 1.8 V Rated VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) ESD Protected 2000 V 0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 Thermally Enhanced SC-70 Package Material categorization N-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13 For definitions of compliance please see 0.450 at VGS =
si1563edh.pdf
SI1563EDH www.VBsemi.tw N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated N-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching 0.155 at VGS = - 4.5 V -
si1563dh.pdf
Si1563DH Vishay Siliconix Complementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated N-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.450 at VGS = 1.8 V 1.00 Fast Switching 0.490 at
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