Справочник MOSFET. SI1563EDH

 

SI1563EDH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1563EDH
   Маркировка: EA*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для SI1563EDH

 

 

SI1563EDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  vishay
 si1563edh.pdf

SI1563EDH SI1563EDH

Si1563EDHVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V RatedVDS (V) RDS(on) ()ID (A) ESD Protected: 2000 V0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 Thermally Enhanced SC-70 Package Material categorization:N-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13For definitions of compliance please see0.450 at VGS =

 ..2. Size:889K  cn vbsemi
 si1563edh.pdf

SI1563EDH SI1563EDH

SI1563EDHwww.VBsemi.twN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5 V -

 8.1. Size:278K  vishay
 si1563dh.pdf

SI1563EDH SI1563EDH

Si1563DHVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) Low-Threshold MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.450 at VGS = 1.8 V 1.00 Fast Switching0.490 at

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top