SI2305ADS Todos los transistores

 

SI2305ADS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2305ADS
   Código: 5A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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SI2305ADS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
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New ProductSi2305ADSVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
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SI2305ADS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

 6.1. Size:201K  vishay
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New ProductSi2305ADSVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 7.1. Size:415K  umw-ic
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R UMW SI2305AUMW SI2305AUMWP-Channel MOSFETSOT23 Features VDS (V) = -20V RDS(ON)0.065 (VGS = -4.5V) RDS(ON)0.100 (VGS = -2.5V) RDS(ON)0.250 (VGS = -1.8V)1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKINGD A50TG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-source voltage VG

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

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