Справочник MOSFET. SI2305ADS

 

SI2305ADS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI2305ADS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SI2305ADS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2305ADS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
si2305ads.pdfpdf_icon

SI2305ADS

New ProductSi2305ADSVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
si2305ads-t1-ge3.pdfpdf_icon

SI2305ADS

SI2305ADS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

 6.1. Size:201K  vishay
si2305ad.pdfpdf_icon

SI2305ADS

New ProductSi2305ADSVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.1 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.060 at VGS = - 2.5 V - 3.4 7.8 nC 100 % Rg Tested0.088 at VGS = - 1.8 V - 2.0APPLICATIONS Load Switch DC/DC Conv

 7.1. Size:415K  umw-ic
si2305a.pdfpdf_icon

SI2305ADS

R UMW SI2305AUMW SI2305AUMWP-Channel MOSFETSOT23 Features VDS (V) = -20V RDS(ON)0.065 (VGS = -4.5V) RDS(ON)0.100 (VGS = -2.5V) RDS(ON)0.250 (VGS = -1.8V)1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN MARKINGD A50TG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-source voltage VG

Другие MOSFET... SI2302ADS , SI2302ADS-T1 , SI2302CDS , SI2302DDS , SI2302-TP , SI2303CDS , SI2304BDS , SI2304DDS , STP80NF70 , SI2305CDS , SI2306BDS , SI2307CDS , SI2308BDS , SI2309CDS , SI2311DS , SI2312BDS , SI2312CDS .

History: AUIRFSL8403 | MMQ60R115PTH | PSMN5R0-100PS | PH6325L | VBE1638 | HTJ600N06

 

 
Back to Top

 


 
.