SI3433CDV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3433CDV
   Código: AX*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3433CDV

SI3433CDV Datasheet (PDF)

..1. Size:206K vishay
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New ProductSi3433CDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC- 20APPLICATIONS0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch NotebookTSOP-6(4) STop View

6.1. Size:205K vishay
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8.1. Size:49K vishay
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Si3433New ProductVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.042 @ VGS = -4.5 V-5.6-20 0.057 @ VGS = - 2.5 V -4.80.080 @ VGS = - 1.8 V -4.1(4) STSOP-6Top View1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 5 secs Steady State

8.2. Size:184K vishay
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Si3433BDVVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.6 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.057 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.080 at VGS = - 1.8 V - 4.1TSOP-6Top View(4) S1 63 mm

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History: FDI040N06 | FDG6318PZ

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