SI3433CDV Todos los transistores

 

SI3433CDV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3433CDV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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SI3433CDV datasheet

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SI3433CDV

New Product Si3433CDV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC - 20 APPLICATIONS 0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch Notebook TSOP-6 (4) S Top View

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SI3433CDV

New Product Si3433CDV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC - 20 APPLICATIONS 0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch Notebook TSOP-6 (4) S Top View

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SI3433CDV

Si3433 New Product Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.042 @ VGS = -4.5 V -5.6 -20 0.057 @ VGS = - 2.5 V -4.8 0.080 @ VGS = - 1.8 V -4.1 (4) S TSOP-6 Top View 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 5 secs Steady State

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SI3433CDV

Si3433BDV Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.6 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.057 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.080 at VGS = - 1.8 V - 4.1 TSOP-6 Top View (4) S 1 6 3 mm

Otros transistores... SI3417DV , SI3420 , SI3421DV , SI3424BDV , SI3424CDV , SI3424DV , SI3429EDV , SI3430DV , IRF640 , SI3434 , SI3434DV , SI3438DV , SI3440DV , SI3441BDV , SI3442BDV , SI3442CDV , SI3442DV .

History: LSGN06R034W3 | SI3429EDV

 

 

 

 

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