Справочник MOSFET. SI3433CDV

 

SI3433CDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3433CDV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3433CDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
si3433cdv.pdfpdf_icon

SI3433CDV

New ProductSi3433CDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC- 20APPLICATIONS0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch NotebookTSOP-6(4) STop View

 6.1. Size:205K  vishay
si3433cd.pdfpdf_icon

SI3433CDV

New ProductSi3433CDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC- 20APPLICATIONS0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch NotebookTSOP-6(4) STop View

 8.1. Size:49K  vishay
si3433.pdfpdf_icon

SI3433CDV

Si3433New ProductVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.042 @ VGS = -4.5 V-5.6-20 0.057 @ VGS = - 2.5 V -4.80.080 @ VGS = - 1.8 V -4.1(4) STSOP-6Top View1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 5 secs Steady State

 8.2. Size:184K  vishay
si3433bdv.pdfpdf_icon

SI3433CDV

Si3433BDVVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.6 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.057 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.080 at VGS = - 1.8 V - 4.1TSOP-6Top View(4) S1 63 mm

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STB80NF03L-04 | SWF18N60D | WM02N08H | CJS9004 | DMN601DMK | IRL2505 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.