Справочник MOSFET. SI3433CDV

 

SI3433CDV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3433CDV
   Маркировка: AX*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SI3433CDV

 

 

SI3433CDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
 si3433cdv.pdf

SI3433CDV SI3433CDV

New ProductSi3433CDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC- 20APPLICATIONS0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch NotebookTSOP-6(4) STop View

 6.1. Size:205K  vishay
 si3433cd.pdf

SI3433CDV SI3433CDV

New ProductSi3433CDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC- 20APPLICATIONS0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch NotebookTSOP-6(4) STop View

 8.1. Size:49K  vishay
 si3433.pdf

SI3433CDV SI3433CDV

Si3433New ProductVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.042 @ VGS = -4.5 V-5.6-20 0.057 @ VGS = - 2.5 V -4.80.080 @ VGS = - 1.8 V -4.1(4) STSOP-6Top View1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol 5 secs Steady State

 8.2. Size:184K  vishay
 si3433bdv.pdf

SI3433CDV SI3433CDV

Si3433BDVVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 4.5 V - 5.6 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.057 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.080 at VGS = - 1.8 V - 4.1TSOP-6Top View(4) S1 63 mm

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top