SI3900DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI3900DV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Encapsulados: TSOP-6
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SI3900DV datasheet
si3900dv.pdf
Si3900DV Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.125 at VGS = 4.5 V 2.4 20 TrenchFET Power MOSFET 0.200 at VGS = 2.5 V 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 Top View G1 D1 1 6 D1 D2 3 mm S2 S1 5 2 G2 D2 3 4 G1 G2 2.85 mm S1
si3905dv.pdf
Si3905DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.125 at VGS = - 4.5 V 2.5 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.175 at VGS = - 2.5 V - 8 2.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.265 at VGS = - 1.8 V 1.7 TSOP-6 S1 S2 Top View G
si3909dv.pdf
Si3909DV Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.200 at VGS = - 4.5 V 1.8 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.235 at VGS = - 3.6 V - 20 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.340 at VGS = - 2.5 V 1.3 TSOP-6 S1 S2 Top View
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