SI3900DV Todos los transistores

 

SI3900DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3900DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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SI3900DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  vishay
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SI3900DV

Si3900DVVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.125 at VGS = 4.5 V 2.420 TrenchFET Power MOSFET0.200 at VGS = 2.5 V 1.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6Top ViewG1 D11 6D1 D23 mm S2 S152G2 D23 4G1 G22.85 mmS1

 9.1. Size:195K  vishay
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SI3900DV

Si3905DVVishay SiliconixDual P-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.125 at VGS = - 4.5 V 2.5 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.175 at VGS = - 2.5 V - 8 2.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.265 at VGS = - 1.8 V 1.7TSOP-6S1 S2Top ViewG

 9.2. Size:196K  vishay
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SI3900DV

Si3909DVVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.200 at VGS = - 4.5 V 1.8 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated 0.235 at VGS = - 3.6 V - 20 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.340 at VGS = - 2.5 V 1.3TSOP-6S1 S2Top View

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