SI4104DY Todos los transistores

 

SI4104DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4104DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4104DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
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SI4104DY

New ProductSi4104DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = 10 V TrenchET Power MOSFET100 4.6 8.5 nC 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 High Freque

 9.1. Size:241K  vishay
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SI4104DY

Si4102DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.158 at VGS = 10 V 3.8 TrenchFET Power MOSFET100 4.6 nC 100 % UIS Tested0.175 at VGS = 6 V 3.6APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 S D

 9.2. Size:270K  vishay
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SI4104DY

New ProductSi4108DYVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0098 at VGS = 10 V 75 36 nC20.5 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch Half BridgeSO-8 Intermediate Bus ConverterD S1

 9.3. Size:272K  vishay
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SI4104DY

New ProductSi4101DYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0060 at VGS = - 10 V - 25.7 Material categorization:- 30 65 nCFor definitions of compliance please see0.0080 at VGS = - 4.5 V - 22.3www.vishay.com/doc?99912SO-8APPLICATIONS

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