Справочник MOSFET. SI4104DY

 

SI4104DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4104DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4104DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4104DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
 si4104dy.pdf pdf_icon

SI4104DY

New ProductSi4104DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = 10 V TrenchET Power MOSFET100 4.6 8.5 nC 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 High Freque

 9.1. Size:241K  vishay
 si4102dy.pdf pdf_icon

SI4104DY

Si4102DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.158 at VGS = 10 V 3.8 TrenchFET Power MOSFET100 4.6 nC 100 % UIS Tested0.175 at VGS = 6 V 3.6APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 S D

 9.2. Size:270K  vishay
 si4108dy.pdf pdf_icon

SI4104DY

New ProductSi4108DYVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0098 at VGS = 10 V 75 36 nC20.5 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch Half BridgeSO-8 Intermediate Bus ConverterD S1

 9.3. Size:272K  vishay
 si4101dy.pdf pdf_icon

SI4104DY

New ProductSi4101DYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0060 at VGS = - 10 V - 25.7 Material categorization:- 30 65 nCFor definitions of compliance please see0.0080 at VGS = - 4.5 V - 22.3www.vishay.com/doc?99912SO-8APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3993CDV , SI4004DY , SI4010DY , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , RU6888R , SI4108DY , SI4110DY , SI4114DY , SI4116DY , SI4122DY , SI4124DY , SI4126DY , SI4128DY .

History: SI3474DV

 

 
Back to Top

 


 
.