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SI4114DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4114DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4114DY

 

Principales características: SI4114DY

 ..1. Size:239K  vishay
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SI4114DY

New Product Si4114DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 20e 20 27.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.007 at VGS = 4.5 V 20e Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Low-Si

 9.1. Size:239K  vishay
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SI4114DY

New Product Si4110DY Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.013 at VGS = 10 V 80 17.3 35 nC COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Primary Side Switch Half Bridge SO-8 Intermediate Bus Converter D S 1

 9.2. Size:271K  vishay
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SI4114DY

New Product Si4116DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0086 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested 0.0095 at VGS = 4.5 V 25 17 17.5 nC 0.0115 at VGS = 2.5 V 15.5 APPLICATIONS Synchronous Buck - Low S

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History: FQI13N50CTU

 

 
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