SI4116DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4116DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4116DY datasheet

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SI4116DY

New Product Si4116DY Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0086 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested 0.0095 at VGS = 4.5 V 25 17 17.5 nC 0.0115 at VGS = 2.5 V 15.5 APPLICATIONS Synchronous Buck - Low S

 9.1. Size:239K  vishay
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SI4116DY

New Product Si4110DY Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.013 at VGS = 10 V 80 17.3 35 nC COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Primary Side Switch Half Bridge SO-8 Intermediate Bus Converter D S 1

 9.2. Size:239K  vishay
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SI4116DY

New Product Si4114DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 20e 20 27.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.007 at VGS = 4.5 V 20e Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Low-Si

Otros transistores... SI4090DY, SI4100DY, SI4101DY, SI4102DY, SI4104DY, SI4108DY, SI4110DY, SI4114DY, 7N60, SI4122DY, SI4124DY, SI4126DY, SI4128DY, SI4134DY, SI4136DY, SI4143DY, SI4154DY