SI4116DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4116DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4116DY

SI4116DY Datasheet (PDF)

..1. Size:271K vishay
si4116dy.pdf

New ProductSi4116DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0086 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested0.0095 at VGS = 4.5 V 25 17 17.5 nC0.0115 at VGS = 2.5 V 15.5APPLICATIONS Synchronous Buck- Low S

9.1. Size:239K vishay
si4110dy.pdf

New ProductSi4110DYVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.013 at VGS = 10 V 80 17.3 35 nCCOMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch Half BridgeSO-8 Intermediate Bus ConverterD S1

9.2. Size:239K vishay
si4114dy.pdf

New ProductSi4114DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET20e20 27.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.007 at VGS = 4.5 V 20e Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Low-Si

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Liste

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