SI4126DY Todos los transistores

 

SI4126DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4126DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00275 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4126DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  vishay
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SI4126DY

New ProductSi4126DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.00275 at VGS = 10 V 39 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 30 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-8 D SD1 8 SD

 9.1. Size:251K  vishay
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SI4126DY

New ProductSi4128DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 10.9 TrenchFET Power MOSFET30 3.8 nC 100 % Rg Tested0.030 at VGS = 4.5 V 9.7APPLICATIONS Notebook PC- System Power- Load SwitchSO-8 S 1 8 D

 9.2. Size:269K  vishay
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SI4126DY

New ProductSi4122DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0045 at VGS = 10 V 27.2 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 40 29 nC0.006 at VGS = 4.5 V 23.5APPLICATIONS DC/DC ConversionSO-8 D SD1 8 SD2 7 SD3 6 G GD4 5

 9.3. Size:253K  vishay
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SI4126DY

New ProductSi4124DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.0075 at VGS = 10 V 20.540 21 nC 100 % Rg Tested0.009 at VGS = 4.5 V 18.7APPLICATIONS Synchronous RectificationSO-8 DC/DCDS D1 8

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History: 2SK3339-01 | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | STP55N06LFI | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
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