SI4126DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4126DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 760 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00275 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4126DY Datasheet (PDF)
si4126dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
New ProductSi4126DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.00275 at VGS = 10 V 39 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 30 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-8 D SD1 8 SD
si4128dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
New ProductSi4128DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 10.9 TrenchFET Power MOSFET30 3.8 nC 100 % Rg Tested0.030 at VGS = 4.5 V 9.7APPLICATIONS Notebook PC- System Power- Load SwitchSO-8 S 1 8 D
si4122dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
New ProductSi4122DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0045 at VGS = 10 V 27.2 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 40 29 nC0.006 at VGS = 4.5 V 23.5APPLICATIONS DC/DC ConversionSO-8 D SD1 8 SD2 7 SD3 6 G GD4 5
si4124dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
New ProductSi4124DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.0075 at VGS = 10 V 20.540 21 nC 100 % Rg Tested0.009 at VGS = 4.5 V 18.7APPLICATIONS Synchronous RectificationSO-8 DC/DCDS D1 8
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .