SI4168DY Todos los transistores

 

SI4168DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4168DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4168DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
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SI4168DY

Si4168DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Notebook DC/DCSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GGD4 5Top ViewSOrdering Info

 9.1. Size:270K  vishay
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SI4168DY

New ProductSi4164DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PCSO-8 Gamin

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SI4168DY

New ProductSi4160DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested30 16.9 nC0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested22.4APPLICATIONS Notebook- Vcore low side- DC/DCSO-8 D

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SI4168DY

Si4162DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 17.1aAPPLICATIONS DC/DC- High SideSO-8- VRMD- POLSD1 8- ServerSD2 7

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History: AONS36316 | IRFR120TR | STP5N62K3 | MRF5003 | RQK0608BQDQS | 4N65KG-T60-K

 

 
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