SI4168DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4168DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: SO-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SI4168DY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI4168DY datasheet

 ..1. Size:255K  vishay
 si4168dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

Si4168DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested 30 13.8 nC 100 % UIS Tested 0.0076 at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS Notebook DC/DC SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 G GD 4 5 Top View S Ordering Info

 9.1. Size:270K  vishay
 si4164dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

New Product Si4164DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC 0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3 APPLICATIONS DC/DC Conversion - Low-Side Switch Notebook PC SO-8 Gamin

 9.2. Size:270K  vishay
 si4160dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

New Product Si4160DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested 30 16.9 nC 0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested 22.4 APPLICATIONS Notebook - Vcore low side - DC/DC SO-8 D

 9.3. Size:255K  vishay
 si4162dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

Si4162DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested 19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested 0.010 at VGS = 4.5 V 17.1a APPLICATIONS DC/DC - High Side SO-8 - VRM D - POL SD 1 8 - Server SD 2 7

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI4136DY, SI4143DY, SI4154DY, SI4156DY, SI4160DY, SI4162DY, SI4164DY, SI4166DY, 60N06, SI4170DY, SI4172DY, SI4174DY, SI4176DY, SI4178DY, SI4186DY, SI4190ADY, SI4190DY