SI4168DY - описание и поиск аналогов

 

SI4168DY - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4168DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4168DY

 

SI4168DY технические параметры

 ..1. Size:255K  vishay
si4168dy.pdfpdf_icon

SI4168DY

Si4168DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested 30 13.8 nC 100 % UIS Tested 0.0076 at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS Notebook DC/DC SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 G GD 4 5 Top View S Ordering Info

 9.1. Size:270K  vishay
si4164dy.pdfpdf_icon

SI4168DY

New Product Si4164DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC 0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3 APPLICATIONS DC/DC Conversion - Low-Side Switch Notebook PC SO-8 Gamin

 9.2. Size:270K  vishay
si4160dy.pdfpdf_icon

SI4168DY

New Product Si4160DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested 30 16.9 nC 0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested 22.4 APPLICATIONS Notebook - Vcore low side - DC/DC SO-8 D

 9.3. Size:255K  vishay
si4162dy.pdfpdf_icon

SI4168DY

Si4162DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested 19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested 0.010 at VGS = 4.5 V 17.1a APPLICATIONS DC/DC - High Side SO-8 - VRM D - POL SD 1 8 - Server SD 2 7

Другие MOSFET... SI4136DY , SI4143DY , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , SI4164DY , SI4166DY , 60N06 , SI4170DY , SI4172DY , SI4174DY , SI4176DY , SI4178DY , SI4186DY , SI4190ADY , SI4190DY .

 

 
Back to Top

 


 
.