Справочник MOSFET. SI4168DY

 

SI4168DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4168DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4168DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4168DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
 si4168dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

Si4168DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0057 at VGS = 10 V 24 100 % Rg Tested30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Notebook DC/DCSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GGD4 5Top ViewSOrdering Info

 9.1. Size:270K  vishay
 si4164dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

New ProductSi4164DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0032 at VGS = 10 V 30 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 26.5 nC0.0039 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PCSO-8 Gamin

 9.2. Size:270K  vishay
 si4160dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

New ProductSi4160DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0049 at VGS = 10 V 25.4 100 % Rg Tested30 16.9 nC0.0063 at VGS = 4.5 V 100 % UIS Tested22.4APPLICATIONS Notebook- Vcore low side- DC/DCSO-8 D

 9.3. Size:255K  vishay
 si4162dy.pdf pdf_icon

SI4168DY

Si4162DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested19.3a COMPLIANT 30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 17.1aAPPLICATIONS DC/DC- High SideSO-8- VRMD- POLSD1 8- ServerSD2 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4136DY , SI4143DY , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , SI4164DY , SI4166DY , AO4468 , SI4170DY , SI4172DY , SI4174DY , SI4176DY , SI4178DY , SI4186DY , SI4190ADY , SI4190DY .

History: AP2304AGN-HF | AP2310GK-HF | SQ4961EY | SQ4949EY | SQ7414EN

 

 
Back to Top

 


 
.