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SI4170DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4170DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 595 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4170DY

 

Principales características: SI4170DY

 ..1. Size:268K  vishay
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SI4170DY

New Product Si4170DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 10 V 30 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 29 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 27 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS Notebook PC Core - Low Side Switch SO-8 D SD 1 8

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SI4170DY

New Product Si4174DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0095 at VGS = 10 V 17 100 % Rg and UIS Tested 30 8 nC 0.013 at VGS = 4.5 V 14.5 APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8 D SD 1 8 SD 2

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SI4170DY

Si4172DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 15 30 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 13 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side

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SI4170DY

New Product Si4176DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 12a TrenchFET Power MOSFET 30 4.7 nC 0.027 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 10.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch

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