SI4170DY - описание и поиск аналогов

 

SI4170DY - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4170DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 595 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4170DY

 

SI4170DY технические параметры

 ..1. Size:268K  vishay
 si4170dy.pdf pdf_icon

SI4170DY

New Product Si4170DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 10 V 30 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 29 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 27 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS Notebook PC Core - Low Side Switch SO-8 D SD 1 8

 9.1. Size:252K  vishay
 si4174dy.pdf pdf_icon

SI4170DY

New Product Si4174DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0095 at VGS = 10 V 17 100 % Rg and UIS Tested 30 8 nC 0.013 at VGS = 4.5 V 14.5 APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8 D SD 1 8 SD 2

 9.2. Size:253K  vishay
 si4172dy.pdf pdf_icon

SI4170DY

Si4172DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 15 30 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 13 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side

 9.3. Size:270K  vishay
 si4176dy.pdf pdf_icon

SI4170DY

New Product Si4176DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 12a TrenchFET Power MOSFET 30 4.7 nC 0.027 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 10.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4143DY , SI4154DY , SI4156DY , SI4160DY , SI4162DY , SI4164DY , SI4166DY , SI4168DY , IRFP064N , SI4172DY , SI4174DY , SI4176DY , SI4178DY , SI4186DY , SI4190ADY , SI4190DY , SI4196DY .

 

 
Back to Top

 


 
.