SI4178DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4178DY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI4178DY MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI4178DY datasheet
si4178dy.pdf
New Product Si4178DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 12a TrenchFET Power MOSFET 30 3.7 nC 0.033 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Notebook System
si4174dy.pdf
New Product Si4174DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0095 at VGS = 10 V 17 100 % Rg and UIS Tested 30 8 nC 0.013 at VGS = 4.5 V 14.5 APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8 D SD 1 8 SD 2
si4172dy.pdf
Si4172DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 15 30 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 13 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side
si4176dy.pdf
New Product Si4176DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = 10 V 12a TrenchFET Power MOSFET 30 4.7 nC 0.027 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested 10.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch
Otros transistores... SI4162DY, SI4164DY, SI4166DY, SI4168DY, SI4170DY, SI4172DY, SI4174DY, SI4176DY, IRF3205, SI4186DY, SI4190ADY, SI4190DY, SI4196DY, SI4200DY, SI4202DY, SI4204DY, SI4210DY
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor
