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SI4190ADY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4190ADY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 695 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4190ADY

 

Principales características: SI4190ADY

 ..1. Size:271K  vishay
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SI4190ADY

New Product Si4190ADY Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0088 at VGS = 10 V 18.4 Material categorization For definitions of compliance please see 100 0.0094 at VGS = 7.5 V 17.8 20.7 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0120 at VGS = 4.5 V 1

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SI4190ADY

New Product Si4190DY Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0088 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 100 18.3 nC 0.012 at VGS = 4.5 V 17 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Prim

 9.1. Size:106K  vishay
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SI4190ADY

New Product Si4196DY Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.027 at VGS = 4.5 V 8 100 % UIS Tested 0.032 at VGS = 2.5 V 20 8 8.3 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.040 at VGS = 1.8 V 8 APPLICATIONS DC/DC Converter Load

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