SI4190DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4190DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
SI4190DY Datasheet (PDF)
si4190dy.pdf

New ProductSi4190DYVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0088 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 100 18.3 nC0.012 at VGS = 4.5 V 17 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Prim
si4190ady.pdf

New ProductSi4190ADYVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0088 at VGS = 10 V 18.4 Material categorization:For definitions of compliance please see100 0.0094 at VGS = 7.5 V 17.8 20.7 nCwww.vishay.com/doc?999120.0120 at VGS = 4.5 V 1
si4196dy.pdf

New ProductSi4196DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.027 at VGS = 4.5 V 8 100 % UIS Tested0.032 at VGS = 2.5 V 20 8 8.3 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.040 at VGS = 1.8 V 8APPLICATIONS DC/DC Converter Load
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: VBZM150N10 | KNP1906A | SMIRF5N65TBRL | 2SK3778-01 | LSF65R290HF | ME2301-G | QM4015D
History: VBZM150N10 | KNP1906A | SMIRF5N65TBRL | 2SK3778-01 | LSF65R290HF | ME2301-G | QM4015D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet