SI4320DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4320DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4320DY

SI4320DY Datasheet (PDF)

..1. Size:228K vishay
si4320dy.pdf

Si4320DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.003 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II300.004 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High 22Density TrenchFET Power MOSFET TechnologyAPPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side- Notebook-

9.1. Size:258K vishay
si4322dy.pdf

Si4322DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0085 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1830 11.7 nC 100 % Rg Tested0.0125 at VGS = 4.5 V 15APPLICATIONSSCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT Synchronous Buck-Low S

9.2. Size:239K vishay
si4324dy.pdf

Si4324DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0032 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET30 25.5 nC 100 % Rg Tested0.0042 at VGS = 4.5 V 29APPLICATIONS Synchronous Buck-Low Side- Notebook- ServerSO-8 - WorkstationD

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