SI4322DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4322DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4322DY datasheet

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SI4322DY

Si4322DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0085 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 18 30 11.7 nC 100 % Rg Tested 0.0125 at VGS = 4.5 V 15 APPLICATIONS SCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT Synchronous Buck-Low S

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SI4322DY

Si4324DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0032 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET 30 25.5 nC 100 % Rg Tested 0.0042 at VGS = 4.5 V 29 APPLICATIONS Synchronous Buck-Low Side - Notebook - Server SO-8 - Workstation D

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SI4322DY

Si4320DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.003 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II 30 0.004 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High 22 Density TrenchFET Power MOSFET Technology APPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side - Notebook -

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