SI4322DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4322DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 84 ns
Выходная емкость (Cd): 380 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4322DY Datasheet (PDF)
si4322dy.pdf
Si4322DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0085 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1830 11.7 nC 100 % Rg Tested0.0125 at VGS = 4.5 V 15APPLICATIONSSCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT Synchronous Buck-Low S
si4324dy.pdf
Si4324DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0032 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET30 25.5 nC 100 % Rg Tested0.0042 at VGS = 4.5 V 29APPLICATIONS Synchronous Buck-Low Side- Notebook- ServerSO-8 - WorkstationD
si4320dy.pdf
Si4320DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.003 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II300.004 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High 22Density TrenchFET Power MOSFET TechnologyAPPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side- Notebook-
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
