SI4324DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4324DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 795 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4324DY
SI4324DY Datasheet (PDF)
si4324dy.pdf
Si4324DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0032 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET30 25.5 nC 100 % Rg Tested0.0042 at VGS = 4.5 V 29APPLICATIONS Synchronous Buck-Low Side- Notebook- ServerSO-8 - WorkstationD
si4322dy.pdf
Si4322DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0085 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1830 11.7 nC 100 % Rg Tested0.0125 at VGS = 4.5 V 15APPLICATIONSSCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT Synchronous Buck-Low S
si4320dy.pdf
Si4320DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.003 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II300.004 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High 22Density TrenchFET Power MOSFET TechnologyAPPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side- Notebook-
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History: SFF80N20P
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