SI4324DY Todos los transistores

 

SI4324DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4324DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 795 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4324DY Datasheet (PDF)

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SI4324DY

Si4324DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0032 at VGS = 10 V 36 TrenchFET Power MOSFET30 25.5 nC 100 % Rg Tested0.0042 at VGS = 4.5 V 29APPLICATIONS Synchronous Buck-Low Side- Notebook- ServerSO-8 - WorkstationD

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SI4324DY

Si4322DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0085 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1830 11.7 nC 100 % Rg Tested0.0125 at VGS = 4.5 V 15APPLICATIONSSCHOTTKY AND BODY DIODE PRODUCT Synchronous Buck-Low S

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SI4324DY

Si4320DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.003 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Gen II300.004 at VGS = 4.5 V Ultra Low On-Resistance Using High 22Density TrenchFET Power MOSFET TechnologyAPPLICATIONS Synchronous Buck Low-Side- Notebook-

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History: FQPF6N80 | BUK626R2-40C | STW30NM60D | MDS3753EURH | PJS6801 | 2SK3921-01S | 2SK3580-01MR

 

 
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