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SI4346DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4346DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4346DY

 

Principales características: SI4346DY

 ..1. Size:228K  vishay
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SI4346DY

Si4346DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.023 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Gen II Power MOSFET 0.025 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg Tested 30 6.5 0.030 at VGS = 3.0 V 6.8 0.036 at VGS = 2.5 V 6.0 APPLICATIONS High-Side DC/DC Con

 9.1. Size:77K  vishay
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SI4346DY

Si4348DY New Product Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Pb-free 0.0125 at VGS = 10 V 11 APPLICATIONS 30 RoHS 0.014 at VGS = 4.5 V 10 COMPLIANT High-Side DC/DC Conversion - Notebook - Desktop - Server Notebook Logic DC/DC, Low-Side SO-8 D S 1 8 D S D 2 7 S

 9.2. Size:224K  vishay
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SI4346DY

Si4340DDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0085 at VGS = 10 V 14.8 TrenchFET Power MOSFET Channel-1 20 8.1 0.0115 at VGS = 4.5 V 12.8 100 % Rg Tested 0.0070 at VGS = 10 V 22 Channel-2 20 8.4 100 % UIS T

 9.3. Size:1202K  vishay
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SI4346DY

Si4340CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V 14.1 TrenchFET Power MOSFET Channel-1 20 9.6 0.0125 at VGS = 4.5 V 12.2 100 % Rg Tested 0.008 at VGS = 10 V 20 Channel-2 20 14.1 100 % UIS Te

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