SI4401BDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4401BDY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SO-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SI4401BDY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI4401BDY datasheet

 ..1. Size:248K  vishay
si4401bdy.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4

 0.1. Size:874K  cn vbsemi
si4401bdy-t1.pdf pdf_icon

SI4401BDY

SI4401BDY-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD

 6.1. Size:246K  vishay
si4401bd.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4

 8.1. Size:251K  vishay
si4401ddy.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401DDY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET - 40 33 nC 0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Otros transistores... SI4362BDY, SI4368DY, SI4378DY, SI4384DY, SI4386DY, SI4390DY, SI4396DY, SI4398DY, 2SK3878, SI4401DDY, SI4401DY, SI4403BDY, SI4403CDY, SI4404DY, SI4406DY, SI4408DY, SI4409DY