SI4401BDY Todos los transistores

 

SI4401BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4401BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI4401BDY MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI4401BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  vishay
 si4401bdy.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401BDYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET- 40 400.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8S1 8 D SS D2 7S3 6 DGG D4

 0.1. Size:874K  cn vbsemi
 si4401bdy-t1.pdf pdf_icon

SI4401BDY

SI4401BDY-T1www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD

 6.1. Size:246K  vishay
 si4401bd.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401BDYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET- 40 400.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8S1 8 D SS D2 7S3 6 DGG D4

 8.1. Size:251K  vishay
 si4401ddy.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401DDYVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET- 40 33 nC0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI4362BDY , SI4368DY , SI4378DY , SI4384DY , SI4386DY , SI4390DY , SI4396DY , SI4398DY , IRFP260 , SI4401DDY , SI4401DY , SI4403BDY , SI4403CDY , SI4404DY , SI4406DY , SI4408DY , SI4409DY .

History: 13N50G-TQ2-R | SI4408DY | NTD6415AN-1G

 

 
Back to Top

 


 
.