SI4401BDY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI4401BDY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI4401BDY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4401BDY даташит
si4401bdy.pdf
Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4
si4401bdy-t1.pdf
SI4401BDY-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD
si4401bd.pdf
Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4
si4401ddy.pdf
Si4401DDY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET - 40 33 nC 0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS
Другие IGBT... SI4362BDY, SI4368DY, SI4378DY, SI4384DY, SI4386DY, SI4390DY, SI4396DY, SI4398DY, 2SK3878, SI4401DDY, SI4401DY, SI4403BDY, SI4403CDY, SI4404DY, SI4406DY, SI4408DY, SI4409DY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c







