Справочник MOSFET. SI4401BDY

 

SI4401BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4401BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4401BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  vishay
 si4401bdy.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401BDYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET- 40 400.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8S1 8 D SS D2 7S3 6 DGG D4

 0.1. Size:874K  cn vbsemi
 si4401bdy-t1.pdf pdf_icon

SI4401BDY

SI4401BDY-T1www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD

 6.1. Size:246K  vishay
 si4401bd.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401BDYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET- 40 400.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8S1 8 D SS D2 7S3 6 DGG D4

 8.1. Size:251K  vishay
 si4401ddy.pdf pdf_icon

SI4401BDY

Si4401DDYVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET- 40 33 nC0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI4810DY | SI4511DY | SI4368DY | SI4448DY

 

 
Back to Top

 


 
.