SI4403CDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4403CDY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
Encapsulados: SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI4403CDY MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI4403CDY datasheet
si4403cdy.pdf
New Product Si4403CDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.0155 at VGS = - 4.5 V - 13.4 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.0195 at VGS = - 2.5 V - 12 36.5 nC 100 % Rg Tested 0.0250 at VGS = - 1.8 V - 10.5 100 % UIS Tested Compliant to
si4403bdy.pdf
Si4403BDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2 SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D G G
si4403bd.pdf
Si4403BDY Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.017 at VGS = - 4.5 V - 9.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.023 at VGS = - 2.5 V - 8.5 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.032 at VGS = - 1.8 V - 7.2 SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 S 3 6 D G G
si4403dy.pdf
Si4403DY New Product Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETS VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) APPLICATIONS 0.017 @ VGS = 4.5 V 9 D Load Switch 20 0.023 @ VGS = 2.5 V 7 Game Stations 0.032 @ VGS = 1.8 V 6 Notebooks Desktops S SO-8 SD 1 8 G S D 2 7 SD 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel
Otros transistores... SI4386DY, SI4390DY, SI4396DY, SI4398DY, SI4401BDY, SI4401DDY, SI4401DY, SI4403BDY, IRF4905, SI4404DY, SI4406DY, SI4408DY, SI4409DY, SI4410BDY, SI4410DYPBF, SI4411DY, SI4412ADY
History: SI4403BDY | SI4410DYPBF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540
